靈動(dòng)微電子MM32F0010采用內(nèi)核為M0的32位微控制器，工作頻率高達(dá)48兆赫茲，內(nèi)置Flash高速存儲(chǔ)器，豐富的I/O端口和外設(shè)連接到外部總線。本產(chǎn)品包含1個(gè)12位的ADC、1個(gè)16位通用定時(shí)器、1個(gè)16位基本定時(shí)器和1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器。還包含標(biāo)準(zhǔn)的通信接口：1個(gè)I2C接口、1個(gè)SPI接口和2個(gè)UART接口。工作電壓為2.0V∼5.5V，工作溫度范圍（環(huán)境溫度）包含-40℃∼+85℃的工業(yè)型和-40℃∼+105℃的擴(kuò)展工業(yè)型（尾綴V）。

靈動(dòng)微電子32位單片機(jī)MM32F0010內(nèi)置多種省電工作模式保證低功耗應(yīng)用的要求。靈動(dòng)微電子32位單片機(jī)MM32F0010可替換8位單片機(jī)，該產(chǎn)品提供QFN20、TSSOP20和SOP8共3種封裝形式。8/16位MCU升級(jí)。這些豐富的外設(shè)配置，適合于節(jié)點(diǎn)控制、無線充電、電機(jī)控制、應(yīng)急消防設(shè)備等多種應(yīng)用場合。
 
MM32F0010產(chǎn)品簡述
•內(nèi)核與系統(tǒng)
–ARM®Cortex®-M032位微控制器
–最高工作頻率可達(dá)48MHz
–單指令周期32位硬件乘法器
•存儲(chǔ)器
–高達(dá)16KB的FLASH程序存儲(chǔ)器
–高達(dá)2KB的SRAM
•CRC計(jì)算單元
•時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理
–2.0V∼5.5V供電
–上電/斷電復(fù)位(POR/PDR)、可編程電壓監(jiān)測(cè)器(PVD)
–POR復(fù)位電壓低至1.7V
–PVD電壓閾值可低至1.8V
–外部2∼24MHz高速晶體振蕩器
–內(nèi)嵌經(jīng)出廠調(diào)校的48MHz高速振蕩器
•低功耗
–睡眠(sleep)、停機(jī)(stop)和待機(jī)模式(standby)
•6個(gè)定時(shí)器
–1個(gè)16位4通道高級(jí)控制定時(shí)器，有4通道PWM輸出，以及死區(qū)生成和緊急停止功能
–1個(gè)16位定時(shí)器，有高達(dá)3個(gè)輸入捕獲/輸出比較，可用于IR控制解碼
–1個(gè)16位定時(shí)器，有1個(gè)輸入捕獲/輸出比較
–2個(gè)看門狗定時(shí)器(IWDG和WWDG)
–1個(gè)Systick定時(shí)器：24位自減型計(jì)數(shù)器
•多達(dá)4個(gè)通信接口
–2個(gè)UART接口
–1個(gè)I2C接口
–1個(gè)SPI接口
•多達(dá)18個(gè)快速I/O端口：
–所有I/O口可以映像到16個(gè)外部中斷
–所有端口均可輸入輸出VDD信號(hào)
•1個(gè)12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，1uS轉(zhuǎn)換時(shí)間(多達(dá)8個(gè)輸入通道)
–轉(zhuǎn)換范圍：0∼VDD
–支持采樣時(shí)間和分辨率配置
–片上電壓傳感器
•調(diào)試模式
–串行調(diào)試接口(SWD)
•采用QFN20、TSSOP20和SOP8封裝
 
ARM®Cortex®-M0處理器是一個(gè)可配置的并具有多級(jí)流水線的32位精簡指令集處理器，具有高性能和低功耗的特點(diǎn)。內(nèi)置最大16KB的內(nèi)置FLASH存儲(chǔ)器，用于存放程序和數(shù)據(jù),最大2KB的內(nèi)置SRAM
 
低功耗模式(LP)
產(chǎn)品支持低功耗模式，可以在要求低功耗、短啟動(dòng)時(shí)間和多種喚醒事件之間達(dá)到最佳的平衡。
睡眠模式
在睡眠模式，只有CPU停止，所有外設(shè)處于工作狀態(tài)并可在發(fā)生中斷/事件時(shí)喚醒CPU。
停機(jī)模式
在保持SRAM和寄存器內(nèi)容不丟失的情況下，停機(jī)模式可以達(dá)到最低的電能消耗。在停機(jī)模式下，HSI的振蕩器和HSE晶體振蕩器被關(guān)閉?？梢酝ㄟ^任一配置成EXTI的信號(hào)把微控制器從停機(jī)模式中喚醒，EXTI信號(hào)可以是16個(gè)外部I/O口之一、PVD的輸出的喚醒信號(hào)。
待機(jī)模式
待機(jī)模式可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的最低功耗。該模式是在CPU深睡眠模式時(shí)關(guān)閉電壓調(diào)節(jié)器。內(nèi)部所有的1.5V部分的供電區(qū)域被斷開。HSI和HSE振蕩器也都關(guān)閉,可以通過WKUP引腳的上升沿、NRST引腳的外部復(fù)位、IWDG復(fù)位喚醒或者看門狗定時(shí)器喚醒并復(fù)位。SRAM和寄存器的內(nèi)容將被丟失。
 

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