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Flash 儲(chǔ)存器介紹

來(lái)源：日期：2018-02-06 15:31:47

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FLASH存儲(chǔ)器又稱為閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性的存儲(chǔ)器，在斷電情況下仍能保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。因?yàn)槠鋽嚯姇r(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，閃存通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出程序）、PDA（個(gè)人數(shù)字助理）、數(shù)碼相機(jī)中保存資料等。另一方面，閃存不像RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）一樣以字節(jié)為單位改寫數(shù)據(jù)，因此不能取代RAM。它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。在過(guò)去的20年里，嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM（EPROM）作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備，然而近年來(lái)Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系統(tǒng)中的地位，用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用（U盤）。

　　Flash 儲(chǔ)存器的特點(diǎn)

　　1、Flash 儲(chǔ)存器的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)，稱之為基本位（cell）；一般MOS閘極（Gate）和通道的間隔為氧化層之絕緣（gate oxide），而Flash 儲(chǔ)存器的特色是在控制閘（Control gate）與通道間多了一層稱為“浮閘”（floaTIng gate）的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜，使得Flash 儲(chǔ)存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下，也能透過(guò)此浮閘，來(lái)保存數(shù)據(jù)的完整性。

　　2、Flash 儲(chǔ)存器芯片中單元格里的電子可以被帶有更高電壓的電子區(qū)還原為正常的1。Flash 儲(chǔ)存器采用內(nèi)部閉合電路，這樣不僅使電子區(qū)能夠作用于整個(gè)芯片，還可以預(yù)先設(shè)定“區(qū)塊”（Block）。在設(shè)定區(qū)塊的同時(shí)就將芯片中的目標(biāo)區(qū)域擦除干凈，以備重新寫入。傳統(tǒng)的EEPROM芯片每次只能擦除一個(gè)字節(jié)，而Flash 儲(chǔ)存器每次可擦寫一塊或整個(gè)芯片。Flash 儲(chǔ)存器的工作速度大幅領(lǐng)先于傳統(tǒng)EEPROM芯片。

　 3、從技術(shù)面觀之，根據(jù)內(nèi)存晶體管設(shè)計(jì)架構(gòu)之不同可分為Cell Type以及OperaTIon Type兩種，后者依功能別又可區(qū)分為Code Flash（儲(chǔ)存程序代碼）以及Data Flash（儲(chǔ)存一般數(shù)據(jù)）；其中Code Flash驅(qū)動(dòng)方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驅(qū)動(dòng)方式則有NAND及AND。

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