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中國設(shè)計出新型態(tài)光敏感性半導(dǎo)體存儲器

來源：日期：2018-02-02 14:25:20

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近日有研究團(tuán)隊基于原子級薄度的半導(dǎo)體研究設(shè)計出一種存儲器，除了具有良好的性能，也能夠在完全不需要電力輔助的情況下，用光線就能消除儲存資料，團(tuán)隊認(rèn)為這種新的存儲器在系統(tǒng)整合型面板（System on Panel）上，具有非常大的應(yīng)用潛力。

據(jù)報導(dǎo)，復(fù)旦大學(xué)和中國科學(xué)院微電子研究所的Long-Fei He及相關(guān)研究人員最近發(fā)表了一篇關(guān)于新型態(tài)存儲器的論文。

因?yàn)榇蠖鄶?shù)現(xiàn)有的存儲器技術(shù)都不夠輕巧，不能整合應(yīng)用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設(shè)計和材料，嘗試制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設(shè)備。

在這項新的研究中，研究人員通過二維過度金屬材料“二硫化鉬”（MoS2）的應(yīng)用，創(chuàng)造出一種原子級薄度的半導(dǎo)體，它的電導(dǎo)率（conductivity）可以被精細(xì)的調(diào)整，進(jìn)而形成具有高開關(guān)電流比的存儲器基礎(chǔ)元件。

此外，團(tuán)隊也在測試中證明，這類型存儲器具有運(yùn)行速度快、大容量的存儲器空間和優(yōu)異的保存性，研究人員估計，即使處在85°C（185°F）的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實(shí)際應(yīng)用來說仍然足夠。

曾經(jīng)已有研究證實(shí)二硫化鉬具有光敏性（photoresponsive），這意味著一些性質(zhì)可以運(yùn)用光來控制，為了了解實(shí)際應(yīng)用情況，團(tuán)隊也實(shí)際進(jìn)行了相關(guān)實(shí)驗(yàn)，結(jié)果他們發(fā)現(xiàn)，當(dāng)光線照射到已編程的存儲設(shè)備上時，儲存資料被完全消除，但同時運(yùn)用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。

團(tuán)隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規(guī)模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設(shè)備，將會在系統(tǒng)整合型面板的應(yīng)用上扮演重要角色。

關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體存儲器

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