三星已經(jīng)開始批量生產(chǎn)其大概為236層的3D NAND存儲(chǔ)器，命名為第8代V-NAND。新IC具有2400MTps的傳輸速度，當(dāng)與高級(jí)控制器結(jié)合使用時(shí)，它們可以實(shí)現(xiàn)傳輸速度超過(guò)12GBps的客戶端級(jí)SSD。
 
新的第8代V-NAND設(shè)備具有1Tb容量（128GB），三星稱其為業(yè)界最高的位密度，但沒(méi)有透露IC的尺寸或?qū)嶋H密度。該IC還具有2400MTps的數(shù)據(jù)傳輸速率，這對(duì)于配備PCIe5.0x4接口的最佳SSD至關(guān)重要，一旦與適當(dāng)?shù)目刂破髋鋵?duì)，將提供驚人的12.4GBps（或更高）。
 
與現(xiàn)有相同容量的閃存IC相比，其新一代3D NAND存儲(chǔ)器的每晶圓生產(chǎn)率將提高20%，這降低了公司的成本（在良率相同的情況下），這可能意味著更便宜的SSD。
 
隨著市場(chǎng)對(duì)更密集、更大容量的存儲(chǔ)需求推動(dòng)更高的V-NAND層數(shù)，三星采用其先進(jìn)的3D縮放技術(shù)來(lái)減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在按比例縮小時(shí)發(fā)生的單元間干擾。第八代V-NAND將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，這將是未來(lái)存儲(chǔ)創(chuàng)新的基礎(chǔ)。

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