ISSI是以汽車，通信，數(shù)字消費，以及工業(yè)和醫(yī)療等主要市場，是設計開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。還設計和銷售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。
 
ISSI IS61LV256AL是一款高速、低功耗、32,768字的8位靜態(tài)RAM。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設計技術(shù)相結(jié)合，產(chǎn)生的訪問時間最快可達8ns。當CE為高電平（取消選擇）時，該器件采用待機模式，在該模式下，CMOS的功耗降至150µW（典型值）輸入電平。通過使用低電平有效芯片使能(CE)可提供輕松的內(nèi)存擴展。低電平有效寫使能(WE)控制存儲器的寫入和讀取。IS61LV256AL采用JEDEC標準28引腳、300-milSOJ和450-mil TSOP（I型）封裝。
 
IS61LV256AL高速訪問時間為10納秒，取消選擇芯片時自動斷電，CMOS低功耗運行，60µW（典型值）CMOS待機，65mW（典型值）運行，TTL兼容接口電平，3.3V單電源，完全靜態(tài)操作：無需時鐘或刷新，具備三態(tài)輸出，無鉛可用。