IS66WVC2M16EALL是一種集成存儲(chǔ)設(shè)備，包含32Mbit偽靜態(tài)pSRAM存儲(chǔ)器，使用自刷新DRAM陣列組織為2M字乘16位。該器件包括多種省電模式：減少陣列刷新模式，其中數(shù)據(jù)保留在陣列的一部分和溫度控制刷新。這兩種模式都減少了待機(jī)電流消耗?？梢栽跇?biāo)準(zhǔn)異步模式和高性能突發(fā)模式下運(yùn)行。管芯具有獨(dú)立的電源軌、VDDQ和VSSQ，用于I/O運(yùn)行，來(lái)自器件內(nèi)核的獨(dú)立電源。ISSI代理支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持.
 
特征
•單機(jī)支持異步、page、burst操作
•MixedMode支持異步寫和同步讀操作
•雙電壓軌可選性能
-全部：VDD1.7V~1.95V，VDDQ1.7V~1.95V
-CLL:VDD1.7V~1.95V,VDDQ2.7V~3.6V
•異步模式讀訪問(wèn)：70ns
-頁(yè)間讀取訪問(wèn)：70ns
-頁(yè)內(nèi)讀取訪問(wèn)：25ns
•讀寫操作的突發(fā)模式4,8,16,32或連續(xù)
•低功耗
-異步操作<30mA
-頁(yè)內(nèi)讀取<20mA
-突發(fā)操作<45mA(@133Mhz)
-待機(jī)<150uA（最大）
-深度掉電(DPD)<3uA(Typ)
•低功耗特性
-減少數(shù)組刷新
-溫控刷新
-深度掉電（DPD）模式
•工作頻率高達(dá)133Mhz
•工作溫度范圍工業(yè)-40°C~85°C
•封裝：54-ballVFBGA
 
IS66WVC2M16EALL是為低功耗便攜式應(yīng)用開發(fā)的高速CMOS偽靜態(tài)pSRAM存儲(chǔ)器。32Mb DRAM核心設(shè)備組織為2Megx16位。是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)閃存控制接口的變體，與其他低功耗SRAM或偽SRAM產(chǎn)品相比，可顯著增加讀/寫帶寬。
 
為了在突發(fā)Flash總線上無(wú)縫運(yùn)行，IS66WVC2M16EALL集成了透明的自刷新機(jī)制。隱藏刷新不需要來(lái)自系統(tǒng)內(nèi)存控制器的額外支持，并且對(duì)設(shè)備讀/寫性能沒(méi)有顯著影響。
 
兩個(gè)用戶可訪問(wèn)的控制寄存器定義設(shè)備操作。總線配置寄存器(BCR)定義IS66WVC2M16EALL設(shè)備如何與系統(tǒng)內(nèi)存總線交互，并且與突發(fā)模式閃存設(shè)備上的對(duì)應(yīng)物幾乎相同。
 
刷新配置寄存器(RCR)用于控制如何在DRAM陣列上執(zhí)行刷新。這些寄存器在上電期間自動(dòng)加載默認(rèn)設(shè)置，并且可以在正常操作期間隨時(shí)更新。特別關(guān)注自刷新期間的待機(jī)電流消耗。

關(guān)鍵詞：IS66WVC2M16EALL  pSRAM